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Central Semiconductor Corp

1N5417 TR

工場モデル 1N5417 TR
メーカー Central Semiconductor Corp
詳細な説明 DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM
パッケージ GPR-4AM
株式 5403 pcs
データシート Mult Dev EOL 8/Feb/2021RoHS Cert1N5415 Thru 1N5420
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのCentral Semiconductor Corpシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5403のCentral Semiconductor Corp 1N5417 TRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.1 V @ 3 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 200 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ GPR-4AM
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 150 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース R-4, Axial
パッケージ Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 200°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 1 µA @ 200 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 3A
Vrと、F @キャパシタンス 150pF @ 12V, 1MHz

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